[发明专利]闪存的储存状态决定方法及其相关系统有效

专利信息
申请号: 201210462516.9 申请日: 2012-11-15
公开(公告)号: CN103811074B 公开(公告)日: 2017-05-03
发明(设计)人: 曾士家;曾建富;张锡嘉;周彦宇 申请(专利权)人: 光宝电子(广州)有限公司;光宝科技股份有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42;G11C16/06
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 汤保平
地址: 广东省广州市高新技*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 一种闪存的储存状态决定方法,包括下列步骤将多个第一特定存储单元图样储存于该闪存中;将多个第二特定存储单元图样储存于该闪存中;调整一切割电平使一资料区别错误率低于一默认值;以及,利用调整后的该切割电压来区别该闪存中其他存储单元的该第一储存状态与该第二储存状态。
搜索关键词: 闪存 储存 状态 决定 方法 及其 相关 系统
【主权项】:
一种闪存的储存状态决定方法,该闪存中包括多个存储单元,每一个存储单元可被储存为一第一储存状态及一第二储存状态其中之一,其中该第一储存状态及该第二储存状态分别代表不同的逻辑资料,该状态决定方法包括下列步骤:将多个第一特定存储单元图样储存于该闪存中,其中,每一该第一特定存储单元图样包括:一第一存储单元以及多个邻近存储单元,且该第一存储单元被储存为该第一储存状态,该多个邻近存储单元使该第一储存单元的临界电压受到内部存储单元干扰的影响而产生偏移;将多个第二特定存储单元图样储存于该闪存中,其中每一该第二特定存储单元图样包括:一第二存储单元以及多个邻近存储单元;而该第二存储单元被储存为该第二储存状态,该多个邻近存储单元使该第二储存单元的临界电压受到内部存储单元干扰的影响而产生偏移;调整一切割电压使一资料区别错误率低于一默认值;以及利用调整后的该切割电压来区别该第一储存状态与该第二储存状态。
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