[发明专利]一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法

摘要

本发明公开了一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法，包括下列步骤：1：准备一片P型硅片；2：由光罩定义出深N阱一注入区域并注入；3：由光罩定义出深N阱二注入区域并注入；4:高温推进形成横向和纵向的耐压层；5:由光罩定义出低压N阱、低压P阱注入区域并注入；进行高温退火；6：生长氧化层并淀积SiN，由光罩定义有源区，并刻蚀SiN，在漂移区上方形成场氧，将SiN湿法去除；7：生长栅氧并淀积多晶硅，光罩定义形成栅极多晶硅和漂移区场氧上的场板；8：离子注入形成源区和漏区；9：进行后续工艺。本发明采用较简单的双深N阱扩散工艺，在超高压BCD工艺内实现耐压达到700V以上隔离结构，工艺简单，成本低。

主权项

一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法，其特征在于，包括下列工艺步骤：步骤1：准备一片P型硅片，其掺杂浓度由器件设计的耐压决定；步骤2：由光罩定义出深N阱一注入区域，进行P31注入，形成深N阱一；步骤3：由光罩定义出深N阱二注入区域，进行P31注入，形成深N阱二；步骤4:进行高温推进，形成横向和纵向的耐压层；同时推进深N阱一和深N阱二，其浓度和结深由耐压的要求决定；步骤5:由光罩定义出低压N阱注入区域，进行P31注入，形成低压N阱；由光罩定义出低压P阱注入区域，进行B11注入，形成低压P阱；然后进行高温退火；步骤6：在全硅片上生长氧化层并淀积SiN，由光罩定义有源区，并干法刻蚀掉有源区以外的场隔离区上的SiN，在场隔离区上生长场氧作为漂移区场氧，然后将其余SiN采用湿法刻蚀去除；步骤7：生长栅氧并淀积多晶硅，光罩定义形成栅极多晶硅；步骤8：离子注入形成源区和漏区；步骤9：进行后续工艺，包括接触孔，金属层，钝化层工艺将电极引出。