[发明专利]一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法

权利要求书

1.一种超高压BCD工艺的隔离结构制作工艺方法，其特征在于，包括下列工艺步骤：

步骤1：准备一片P型硅片，其掺杂浓度由器件设计的耐压决定；

步骤2：由光罩定义出深N阱一注入区域，进行P31注入，形成深N阱一；

步骤3：由光罩定义出深N阱二注入区域，进行P31注入，形成深N阱二；

步骤4:进行高温推进，形成横向和纵向的耐压层；同时推进深N阱一和深N阱二，其浓度和结深由耐压的要求决定；

步骤5:由光罩定义出低压N阱注入区域，进行P31注入，形成低压N阱；由光罩定义出低压P阱注入区域，进行B11注入，形成低压P阱；然后进行高温退火；

步骤6：在全硅片上生长氧化层并淀积SiN，由光罩定义有源区，并干法刻蚀掉有源区以外的场隔离区上的SiN，在场隔离区上生长场氧作为漂移区场氧，然后将其余SiN采用湿法刻蚀去除；

步骤7：生长栅氧并淀积多晶硅，光罩定义形成栅极多晶硅；

步骤8：离子注入形成源区和漏区；

步骤9：进行后续工艺，包括接触孔，金属层，钝化层工艺将电极引出。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤1中，所述P型硅片的电阻率较高，对于设计电压在700V的BCD工艺，所述P型硅片的电阻率为70ohm.cm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤2中，所述的深N阱一注入区域包含整个隔离结构，其浓度和结深能够满足RESURF技术的要求，即在横向击穿之前能在纵向全部形成耗尽层，从而减弱了横向的电场，使得横向耐压能达到700V以上。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤3中，所述的深N阱二注入区域为隔离区域高压的一侧，即该区域的实际注入剂量是由深N阱一和深N阱二注入共同决定，而在漂移区和低压端都没有深N阱二注入，其目的主要在于能加强高压一侧的纵向punch though耐压，使得隔离区低压P阱和低压N阱对于PSUB的耐压能达到700V以上。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤4中，所述的高温推进，使得深N阱一的结深能形成RESURF结构，而深N阱一和深N阱二共同区域的结深能满足纵向的punchthough耐压。

6.根据权利要求1或5所述的方法，其特征在于：在步骤4中，所述的高温推进的温度为1150~1200摄氏度，时间为200~300分钟。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤5中，所述高温退火的温度为1050~1150摄氏度，时间为30~60秒。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤7中，所述的栅极多晶硅在隔离结构中用作源极端的场板和漏极端的场板。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在步骤8中，通过光罩定义出N+和P+的源漏注入区域，形成高压端N+的引出和低压端P+的引出。