[发明专利]一种多栅极高压场效应晶体管有效
| 申请号： | 201210454134.1 | 申请日： | 2012-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN102983166A | 公开（公告）日： | 2013-03-20 |
| 发明（设计）人： | 王钊 | 申请（专利权）人： | 无锡中星微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 戴薇 |
| 地址： | 214028 江苏省无锡市新*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种高压场效应晶体管，其包括衬体区、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的衬体接触、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的源极、与衬体区相互间隔的漏极，以及位于漏极和衬体区之间的漂移区，所述源极位于所述衬体接触和所述漏极之间。所述高压场效应晶体管还包括位于源极和漏极之间且位于漂移区和衬体区上方的复数个栅氧层以及位于对应栅极层上的复数个栅极。这样，上述高压场效应晶体管单元作为功率开关，其可以在不增加功率开关的版图面积的前提下，减小功率开关的导通电阻，从而减小其导通时的导通功率损耗。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 栅极 高压 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种高压场效应晶体管，其特征在于，其包括衬体区、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的衬体接触、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的源极、与衬体区相互间隔的漏极，以及位于漏极和衬体区之间的漂移区，所述源极位于所述衬体接触和所述漏极之间，其特征在于，所述高压场效应晶体管还包括位于源极和漏极之间且位于漂移区和衬体区上方的复数个栅氧层以及位于对应栅极层上的复数个栅极。
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