[发明专利]一种多栅极高压场效应晶体管

权利要求书

1.一种高压场效应晶体管，其特征在于，其包括衬体区、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的衬体接触、自衬体区上表面向下延伸至所述衬体区内的源极、与衬体区相互间隔的漏极，以及位于漏极和衬体区之间的漂移区，所述源极位于所述衬体接触和所述漏极之间，其特征在于，所述高压场效应晶体管还包括位于源极和漏极之间且位于漂移区和衬体区上方的复数个栅氧层以及位于对应栅极层上的复数个栅极。

2.根据权利要求1所述的高压场效应晶体管，其特征在于，紧邻所述源极的栅极下方的衬体区形成沟道，用于控制所述高压场效应晶体管的导通和截至，其余栅极下方为漂移区，用于控制所述高压场效应晶体管实现更小的导通电阻。

3.根据权利要求2所述的高压场效应晶体管，其特征在于，从源极到漏极的各个栅氧层的厚度依次变厚。

4.根据权利要求3所述的高压场效应晶体管，其特征在于，从源极到漏极的各个栅极下方对应的漂移区的掺杂浓度逐渐增加。

5.根据权利要求4所述的高压场效应晶体管，其特征在于，各个栅极下方对应的漂移区的掺杂深度深于漏极的掺杂深度。

6.根据权利要求1-5任一所述的高压场效应晶体管，其特征在于，所述漂移区为深N阱，所述衬体区为P阱，所述衬体接触为P+有源区，所述源极为N+有源区，所述漏极为P+有源区。

7.根据权利要求6所述的高压场效应晶体管，其特征在于，当控制开启所述高压场效应晶体管时，控制从源极到漏极的各个栅极的电压依次从低电平跳变为高电平；当控制关断所述高压场效应晶体管时，控制从源极到漏极的各个栅极的电压依次从高电平跳变为低电平。

8.根据权利要求7所述的高压场效应晶体管，其特征在于，从源极到漏极的各个栅极上施加的高电平的电压值依次增大。

9.根据权利要求1-5任一所述的高压场效应晶体管，其特征在于，所述漂移区为深P阱，所述衬体区为N阱，所述衬体接触为N+有源区，所述源极为P+有源区，所述漏极为P+有源区。

10.根据权利要求9所述的高压场效应晶体管，其特征在于，当控制开启所述高压场效应晶体管时，控制从源极到漏极的各个栅极的电压依次从高电平跳变为低电平；当控制关断所述高压场效应晶体管时，控制从源极到漏极的各个栅极的电压依次从低电平跳变为高电平。

11.根据权利要求10所述的高压场效应晶体管，其特征在于，从源极到漏极的各个栅极上施加的低电平的电压值依次减小。