[发明专利]半导体光电元件的制作方法有效
| 申请号： | 201210451045.1 | 申请日： | 2012-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN103811593B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 林俊宇;倪庆怀;陈怡名 | 申请（专利权）人： | 晶元光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体光电元件的制作方法，其包含提供一第一基板、形成一第一半导体外延叠层及一第二半导体外延叠层于第一基板上、提供一第二基板、转移第二半导体外延叠层至第二基板上、切割第一基板以形成一第一半导体光电元件包含上述第一半导体外延叠层、以及切割第二基板以形成一第二半导体光电元件包含上述第二半导体外延叠层。 1 | ||
| 搜索关键词： | 半导体外延叠层 半导体光电元件 第二基板 第一基板 切割 制作 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光元件的制作方法，包含：提供一第一基板；形成一第一半导体外延叠层及一第二半导体外延叠层于该第一基板上；形成一图案化透明导电层于该第一半导体外延叠层上；形成一图案化粘着层于该第二半导体外延叠层上；提供一第二基板；转移该第二半导体外延叠层至该第二基板上；切割该第一基板以形成一第一半导体光电元件包含该第一半导体外延叠层；以及切割该第二基板以形成一第二半导体光电元件包含该第二半导体外延叠层，其中该图案化透明导电层包含氧化铟锡、氧化铟锌、氧化铟、氧化锡、氧化锡氟、锑锡氧化物、镉锡氧化物、氧化锌铝、掺镉氧化锌材料或其组合，该图案化粘着层包含有机高分子透明胶材。
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