[发明专利]外延成长方法无效
| 申请号： | 201210445788.8 | 申请日： | 2012-11-09 |
| 公开（公告）号： | CN103726106A | 公开（公告）日： | 2014-04-16 |
| 发明（设计）人： | 宋健民 | 申请（专利权）人： | 铼钻科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B19/02 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明是有关于一种外延成长方法，包括：提供一衬底；提供一溶剂及一溶质，设置于衬底表面，液化溶剂使溶质溶在溶剂内，以形成一熔融液于衬底表面；通入一碳源气体，其具有一稀释气体及一反应气体；以及形成一外延层于衬底表面；其中，熔融液通过一温度梯度熔解碳源气体及衬底，以形成外延层于衬底表面。因此，本发明通过利用碳源气体作为外延层的碳源，可解决衬底成长外延层时晶格不匹配过大的情形，进而得到高质量的外延层。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 成长 方法 | ||
【主权项】：
一种外延成长方法，其特征在于，包括：提供一衬底；提供一溶剂及一溶质，设置于该衬底表面，液化该溶剂使该溶质溶在该溶剂内，以形成一熔融液于该衬底表面；通入一碳源气体，其具有一稀释气体及一反应气体；以及形成一外延层于该衬底表面；其中，该熔融液通过一温度梯度熔解该碳源气体及该衬底，以形成该外延层于该衬底表面。
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