[发明专利]成膜装置及成膜方法无效
申请号: | 201210445200.9 | 申请日: | 2012-11-08 |
公开(公告)号: | CN103088317A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 藤森正成;峰利之;大桥直史 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术;株式会社日立国际电气 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/48 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 杨宏军 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种成膜装置及成膜方法。光CVD装置(成膜装置)(1)通过对原料气体照射光而生成晶种,并通过使晶种在基板(2)上堆积而使膜成长,并且在光源(13)和保持基板(2)的样品台(基板保持部)(14)之间配置遮光板(遮光构件)(20)。遮光板(20)具有:与基板(2)的成膜面(2a)相对的背面(20a)、位于背面(20a)相反侧的表面(20b)、以及从背面(20a)及表面(20b)中的一方贯穿到另一方的多个贯穿孔(21)。此外,遮光板(20)的背面(20a)和基板(2)的成膜面(2a)的距离(C1)在原料气体的气体分子的平均自由行程以下。根据本发明,能够防止或抑制作为成膜对象物的基板的劣化。 | ||
搜索关键词: | 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种成膜装置,其通过对原料气体照射光而生产晶种,并通过使所述晶种在基板上堆积而使膜成长,所述成膜装置的特征在于,包括:成膜处理室,其收容所述基板;气体供给部,其向所述成膜处理室内供给所述原料气体;光源,其对所述成膜处理室内照射所述光;基板保持部,其在所述成膜处理室内,以使所述基板的成膜面朝向所述光源侧的方式保持所述基板;以及遮光构件,其配置在所述成膜处理室内的所述基板和所述光源之间,所述遮光构件包括:与所述基板的所述成膜面相对的第一面、位于所述第一面相反侧的第二面、以及从所述第一面及所述第二面中的一方贯穿到另一方的多个贯穿孔,所述遮光构件的所述第一面和所述基板的所述成膜面的分隔距离在所述原料气体的分子的平均自由行程以下。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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