[发明专利]成膜装置及成膜方法

权利要求书

1.一种成膜装置，其通过对原料气体照射光而生产晶种，并通过使所述晶种在基板上堆积而使膜成长，所述成膜装置的特征在于，包括：

成膜处理室，其收容所述基板；

气体供给部，其向所述成膜处理室内供给所述原料气体；

光源，其对所述成膜处理室内照射所述光；

基板保持部，其在所述成膜处理室内，以使所述基板的成膜面朝向所述光源侧的方式保持所述基板；以及

遮光构件，其配置在所述成膜处理室内的所述基板和所述光源之间，

所述遮光构件包括：

与所述基板的所述成膜面相对的第一面、位于所述第一面相反侧的第二面、以及从所述第一面及所述第二面中的一方贯穿到另一方的多个贯穿孔，

所述遮光构件的所述第一面和所述基板的所述成膜面的分隔距离在所述原料气体的分子的平均自由行程以下。

2.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在所述基板的所述成膜面上形成有包含有机膜的层合膜。

3.根据权利要求2所述的成膜装置，其特征在于，

所述遮光构件包括：

形成在所述第一面上的多个第一开口部、形成在所述第二面上并与所述多个第一开口部连通的多个第二开口部、以及连接所述多个第一开口部和所述多个第二开口部而构成所述多个贯穿孔的多个连结部，

在所述多个连结部没有形成弯曲部。

4.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，

所述分隔距离在5mm以下。

5.根据权利要求3所述的成膜装置，其特征在于，

所述原料气体为TEOS气体即四乙氧基硅烷气体、OMCTS气体即八甲基环四硅氧烷气体、TMCTS气体即四甲基环四硅氧烷气体、或HMDS气体即六甲基二硅烷气体。

6.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

在所述基板保持部安装有使所述基板保持部沿所述基板的所述成膜面移动的移动机构部。

7.根据权利要求1所述的成膜装置，其特征在于，

所述遮光构件被遮光构件保持部保持，

在所述遮光构件保持部安装有能够使所述遮光构件保持部与所述基板保持部分别地移动的驱动部。

8.根据权利要求7所述的成膜装置，其特征在于，

在所述成膜处理室的旁边配置有经由隔开门而与所述成膜处理室连通的退避室，

所述遮光构件保持部具有在成膜处理的中途使所述遮光构件从所述成膜处理室朝向所述退避室移动的机构。

9.一种成膜方法，其特征在于，包括：

(a)将保持基板的基板保持部配置在成膜处理室内的工序；

(b)向所述成膜处理室内供给原料气体的工序；

(c)在配置于与所述基板的成膜面相对的位置的光源和所述基板之间配置遮光构件的工序；以及

(d)在所述(a)、(b)及(c)工序之后，通过从所述光源朝向所述基板照射光而生成晶种，并使所述晶种在所述基板的所述成膜面上堆积的工序，

在所述遮光构件上形成有：

与所述基板的所述成膜面相对的第一面、位于所述第一面相反侧的第二面、以及从所述第一面及所述第二面中的一方贯穿到另一方的多个贯穿孔，

在所述(c)工序中，以所述遮光构件的所述第一面和所述基板的所述成膜面的分隔距离在所述原料气体的分子的平均自由行程以下的方式进行对位。

10.根据权利要求9所述的成膜方法，其特征在于，

在所述(a)工序中配置在所述成膜处理室内的所述基板的所述成膜面上预先形成有包含有机膜的层合膜。

11.根据权利要求9所述的成膜方法，其特征在于，

在所述(d)工序中，将所述基板的所述成膜面划分为多个区域，顺次对各区域进行成膜处理。

12.根据权利要求9所述的成膜方法，其特征在于，

在所述(d)工序中，包括：

(d1)以夹有所述遮光构件的状态进行成膜处理的第一成膜工序；

(d2)在所述(d1)工序之后，从所述光源和所述基板之间去掉所述遮光构件的工序；以及

(d3)在所述(d2)工序之后，以未夹有所述遮光构件的方式进行成膜处理的第二成膜工序。