[发明专利]透射电子显微镜样品的制作方法有效
| 申请号： | 201210444665.2 | 申请日： | 2012-11-08 |
| 公开（公告）号： | CN103808540B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 段淑卿;陈柳;赵燕丽;李明 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/22 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司11018 | 代理人： | 牛峥,王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种透射电子显微镜样品的制作方法，该方法包括通过对晶圆进行切割提供一初始透射电子显微镜TEM样品；在所述初始TEM样品表面，根据TEM样品观测区域的材料衬度的不同，分区域沉积保护层，具体方法为在具有深衬度的样品材料表面沉积碳或者氧化硅保护层，在具有浅衬度的样品材料表面沉积铂或者钨保护层。采用本发明能够在同一TEM样品中清楚地观测到不同结构的形貌。 | ||
| 搜索关键词： | 透射 电子显微镜 样品 制作方法 | ||
【主权项】：
一种透射电子显微镜样品的制作方法，该方法包括：通过对晶圆进行切割提供一初始透射电子显微镜TEM样品；在所述初始TEM样品表面，根据TEM样品观测区域的材料衬度的不同，分区域沉积保护层，具体方法为：在具有深衬度的样品材料表面沉积碳或者氧化硅保护层，在具有浅衬度的样品材料表面沉积铂或者钨保护层；其中，具有深衬度的样品材料为硅锗层；具有浅衬度的样品材料为氧化硅层；所述初始TEM样品至少包括高于晶圆衬底表面的有源区硅锗层，在硅锗层的相对两侧具有多晶硅栅极，以该排列方向为X方向；另一相对两侧具有低于晶圆衬底表面的浅沟槽隔离区，以该排列方向为Y方向；在所述初始TEM样品表面形成图案化的碳保护层，所述图案化的碳保护层在Y方向上覆盖部分硅锗层，并分别覆盖硅锗层相对两侧的浅沟槽隔离区；在所述初始TEM样品表面沉积铂保护层，所述铂保护层在Y方向上覆盖硅锗层及碳保护层的边缘，在X方向上覆盖硅锗层相对两侧的多晶硅栅极，以及多晶硅栅极两侧的氧化硅残留。
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