[发明专利]一种具有光学减反射和波长转换功能的复合薄膜材料有效
申请号: | 201210438942.9 | 申请日: | 2012-11-05 |
公开(公告)号: | CN102969366A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
发明(设计)人: | 于振瑞;赵庆生 | 申请(专利权)人: | 江苏万丰光伏有限公司;江苏万宇电能科技有限公司;于振瑞 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0232;H01L31/18;C23C16/30;C23C14/06 |
代理公司: | 南京苏科专利代理有限责任公司 32102 | 代理人: | 任立;姚姣阳 |
地址: | 212200 江苏省镇*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明是一种具有光学减反射和波长转换功能的复合薄膜材料,基质材料是氧化硅,氧化硅中均匀分布着纳米硅晶粒,其中的纳米硅晶粒的尺寸小于10纳米。复合薄膜材料可以用各种真空方法制备、也可以用各种湿化学方法制备。复合薄膜材料可以沉积(或涂敷)在玻璃或其它透明基底材料上面,其厚度为10~2000纳米。本发明涂敷在玻璃或其它透明基底上,一方面会大大降低基底的光学反射率,同时还能够把波长为200-450纳米的短波光转换为波长为400-1000纳米的波长较长的光。 | ||
搜索关键词: | 一种 具有 光学 反射 波长 转换 功能 复合 薄膜 材料 | ||
【主权项】:
一种具有光学减反射和波长转换功能的复合薄膜材料,其特征在于:其基质材料为氧化硅SiOx,其中1≤x≤2,在所述基质材料中均匀散布着的粒径尺寸小于10纳米的纳米硅晶粒;所述纳米硅晶粒在氧化硅基质中的密度范围为1×1016个/cm3~1×1020个/cm3。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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