[发明专利]含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法无效
| 申请号： | 201210436983.4 | 申请日： | 2012-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN102956767A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王春霞;高洪生;阚强;陈弘达 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法，包括在硅衬底晶片上生长富硅氮化硅层；采用高温退火的方法，使富硅氮化硅层中的富硅形成纳米晶硅，该富硅氮化硅层变为富含纳米晶硅的氮化硅层；定义发光区域，通过干法刻蚀形成有源区域；通过电子束蒸发，在氮化硅层上面沉积金或者银薄膜，通过高温退火形成金属纳米颗粒，形成基片；通过等离子体增强化学气相沉积法或磁控溅射的方法，在基片上制备隔离层；通过光刻及湿法刻蚀的方法，在有源层区域上的隔离层上开电极窗口；通过光刻、金属热蒸发和带胶剥离工艺，在电极窗口内制备阴极电极，在硅衬底晶片的背面制备阳极电极；通过快速退火，使阴极电极和阳极电极与源层区域和硅衬底晶片之间形成欧姆接触，完成制备。 | ||
| 搜索关键词： | 含有 金属 纳米 颗粒 电致发光 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种含有金属纳米颗粒的硅基电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：步骤1：利用等离子体增强化学气相沉积法，在硅衬底晶片上生长富硅氮化硅层；步骤2：采用高温退火的方法，使富硅氮化硅层中的富硅形成纳米晶硅，该富硅氮化硅层变为富含纳米晶硅的氮化硅层；步骤3：通过曝光、显影、定影定义发光区域，通过干法刻蚀形成有源区域；步骤4：通过电子束蒸发，在氮化硅层上面沉积金或者银薄膜，通过高温退火形成金属纳米颗粒，形成基片；步骤5：通过等离子体增强化学气相沉积法或磁控溅射的方法，在基片上制备隔离层；步骤6：通过光刻及湿法刻蚀的方法，在有源层区域上的隔离层上开电极窗口；步骤7：通过光刻、金属热蒸发和带胶剥离工艺，在电极窗口内制备阴极电极，在硅衬底晶片的背面制备阳极电极；步骤8：通过快速退火，使阴极电极和阳极电极与源层区域和硅衬底晶片之间形成欧姆接触，完成制备。
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