[发明专利]一种绝对压力传感器芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201210428212.0 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN102967407B | 公开（公告）日： | 2016-11-30 |
| 发明（设计）人： | 俞挺;彭本贤;于峰崎 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | G01L9/12 | 分类号： | G01L9/12;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 郝明琴 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种绝对压力传感器芯片，包括绝对压力传感器集成在所述CMOS芯片上；所述绝对压力传感器包含压力敏感单元，所述压力敏感单元包括含有浮栅的场效应管，和嵌入了多晶硅或金属材料作栅极用以感应绝对压力变化的振动膜，所述浮栅嵌入CMOS芯片的介质层中，所述振动膜形成有空腔并被密封。所述绝对压力传感器芯片中，系在CMOS标准制造工艺的集成电路的金属导电层上制作牺牲层及可导电的振动膜，最终制成压力传感器微单元，不改变现有CMOS工艺，兼容性好。此外，还涉及一种绝对压力传感器芯片的制作方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝对 压力传感器 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种绝对压力传感器芯片，其特征在于，包括绝对压力传感器集成在CMOS芯片上；所述绝对压力传感器包含压力敏感单元，所述压力敏感单元包括含有浮栅的场效应管，和嵌入了多晶硅或金属材料作栅极用以感应绝对压力变化的振动膜，所述振动膜上覆盖有保护膜，以封闭振动膜上的腐蚀孔；所述浮栅嵌入CMOS芯片的介质层中，所述振动膜形成有空腔并被密封，具体为所述保护膜封闭所述振动膜形成空腔。
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