[发明专利]一种石墨烯场效应器件制备方法

摘要

本发明提供一种石墨烯场效应器件集成方法。该方法在衬底上形成栅电极与对准标记。接下来制备出具有高介电常数的Al2O3薄膜，并利用湿法刻蚀的方法对其进行刻蚀，露出栅电极接触及对准标记。随后将采用化学气相沉积（CVD）方法制备的的单层石墨烯薄膜转移到衬底上，并采用等离子体刻蚀系统刻蚀形成墨烯场效应管（GFET）的导电沟道。最后采用EBL的定义源极、漏极电极区域，并采用光学曝光定义金属接触，沉积金属并剥离以实现金属互连。该方法与传统CMOS制造工艺兼容，简化了器件的制备工艺，有利于提高器件的性能。该发明适用于石墨烯基电子器件及大规模碳基集成电路的加工制造工艺。

主权项

一种石墨烯场效应器件制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：1）提供一半导体衬底；2）在该半导体衬底上制备栅电极；3）在步骤2）获得的结构上沉积具有高k介电常数的栅介质材料，形成栅介质层；4）刻蚀所述栅介质层形成所需的图形；露出部分栅电极；5）将制备好的石墨烯转移到步骤4）之后获得的结构上；6）刻蚀所述石墨烯形成预设图形；该预设图形覆盖步骤4）中刻蚀所述栅介质层形成所需的图形，同样也露出该部分栅电极；7）生长形成源漏电极。