[发明专利]包括结型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210422691.5 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN102916049A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 马荣耀;李铁生;张磊;傅达平 | 申请（专利权）人： | 成都芯源系统有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 蔡纯 |
| 地址： | 611731 四川省成都*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 公开了一种包括结型场效应晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中。由于采用屏蔽层，在结型场效应晶体管中产生新的夹断区，从而可以减小夹断电压。 | ||
| 搜索关键词： | 包括 场效应 晶体管 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括结型场效应晶体管，所述结型场效应晶体管包括：半导体衬底，具有第一掺杂类型并作为结型场效应晶体管的漏极区；外延层，位于半导体衬底上，具有第一掺杂类型；体区，位于外延层中，具有第二掺杂类型，第二掺杂类型与第一掺杂类型是相反的掺杂类型；源极区，位于外延层中，具有第一掺杂类型；以及栅极区，位于体区中，具有第二掺杂类型，其中，所述结型场效应晶体管还包括屏蔽层，屏蔽层具有第二掺杂类型，位于外延层的内部，并且位于源极区和漏极区之间的导电路径中。
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