[发明专利]一种制作金属栅极的方法

摘要

本发明公开了一种制作金属栅极的方法，该方法包括：在制作金属栅极过程中，采用电镀的方式形成金属栅极层，该金属栅极层采用钛铝合金，这与形成功函数金属层所采用的沉积方式不同，则金属含量不同，在MOSFET工作时，扩散到p型MOSFET的阻挡层和n型MOSFET的扩散量也不同，对于p型沟道MOSFET和n型沟道MOSFET金属栅极层中的铝扩散到功函数金属层的离子数量不同，这样，在保证p型沟道MOSFET的功函数值达到极值时，提高性能，n型沟道MOSFET的第二阻挡层中从金属栅极层所扩散的铝也比较少，不会降低阻挡层的介电常数值，从而使得不会降低性能。因此，本发明提供的方法可以使得所制作的MOSFET器件的总体性能提高。

主权项

一种制作金属栅极的方法，其特征在于，该方法包括：提供CMOS器件，刻蚀CMOS器件上方的第一阻挡层后，露出替代栅极；去除所述CMOS器件中的p型沟道MOSFET的替代栅极后，填充p型沟道MOSFET的第一功函数金属层和第二阻挡层；在第二阻挡层上方采用电镀的方式电镀钛铝合金，采用化学机械平坦化CMP后得到第一钛铝合金金属栅极层；去除所述CMOS器件中的n型沟道MOSFET中的裸露的替代栅极后，填充n型沟道MOSFET的第二功函数金属层和第三阻挡层；在第三阻挡层上方采用电镀的方式电镀钛铝合金，采用CMP后得到第二钛铝合金金属栅极层。