[发明专利]电阻阵列自适应校正方法无效
申请号: | 201210420593.8 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN102930336A | 公开(公告)日: | 2013-02-13 |
发明(设计)人: | 杨春玲;朱敏;张传雨 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工业大学 |
主分类号: | G06N3/06 | 分类号: | G06N3/06;G06N3/08 |
代理公司: | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人: | 牟永林 |
地址: | 150001 黑龙*** | 国省代码: | 黑龙江;23 |
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摘要: | 本发明涉及电阻阵列自适应校正方法。本发明为了解决目前阵列非均匀性较差、校正工作繁琐复杂、算法硬件实现较为困难的问题。本发明依据理论电阻阵列的输入和输出关系建立神经网络模型,应用网络模型获得电阻元特性曲线,根据输出辐射亮度相等的依据,在特征曲线上获得等输出样本点,作为训练标准如入与实际输入电压值的对应样本数据对。应用神经网络模型训练样本数据对,获得对应曲线关系。本发明应用于红外探测领域。 | ||
搜索关键词: | 电阻 阵列 自适应 校正 方法 | ||
【主权项】:
1.电阻阵列自适应校正方法,其特征在于,它包括下述步骤:步骤一、根据待校正的电阻阵列的结构,以及其理论的输入和输出关系建立神经网络模型,根据已知的理论输入模拟电压vi,j和理论输出电阻元辐射亮度lumi,j,对神经网络模型进行训练,获取神经网络模型的隐含层权值、隐含层偏差、输出层权值和输出层偏差,由此拟合出理论电阻元辐射亮度的标准特征响应曲线,其中,i和j均为正整数;步骤二、根据待校正的电阻阵列的实际输入模拟电压
和实际输出电阻元辐射亮度压
采用神经网络模型,依据输出电阻元辐射亮度相等的原则,由此得到电阻元理论输入模拟电压与实际输入模拟电压之间对应样本值,获得待校正网络权值与偏差,实现非均匀性校正。
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