[发明专利]源场板异质结场效应晶体管及其制作方法

摘要

本发明公开了一种源场板异质结场效应晶体管及制作方法，主要解决现有场板技术击穿电压低、功率增益小的问题。该器件包括衬底(1)、过渡层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(6)、Γ栅(8)和保护层(11)，钝化层(6)上开有凹槽(7)，Γ栅(8)一部分位于凹槽(7)内，其余部分位于钝化层(6)上部；Γ栅(8)与漏极(5)之间的钝化层(6)上设有一个源场板(9)以及n个浮置金属场板(10)，源场板(9)与源极(4)相连，这些浮置金属场板长度相同，场板间的间距相同；Γ栅(8)、源场板(9)和n个浮置金属场板(10)经同一次金属淀积工艺完成，形成源场板异质结场效应晶体管。本发明具有击穿电压高，栅漏反馈电容小，功率增益高，工艺简单的优点，适用于高频、大功率III-V族化合物微波功率器件。

主权项

一种源场板异质结场效应晶体管，包括衬底(1)、缓冲层(2)、势垒层(3)、源极(4)、漏极(5)、钝化层(6)、凹槽(7)、Γ栅(8)和保护层(11)，缓冲层(2)位于衬底(1)与势垒层(3)之间，钝化层(6)位于源极(4)与Γ栅(8)以及Γ栅(8)与漏极(5)之间的势垒层(3)上，凹槽(7)开在钝化层(6)上，Γ栅(8)一部分位于凹槽(7)上，一部分位于钝化层(6)上，其特征在于：在Γ栅(8)与漏极(5)之间的钝化层(6)上，按照与Γ栅(8)的距离自近而远淀积有一个源场板(9)和n个浮置金属场板(10)，该源场板与源极(4)电气相连，以提高功率增益，该n个浮置金属场板(10)处于浮空状态，以提高击穿电压，n≥1。