[发明专利]具有界面绒化层的GaAs基发光二极管及其制造方法无效
| 申请号： | 201210417727.0 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102956776A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 虞浩辉;周宇杭 | 申请（专利权）人： | 江苏威纳德照明科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 黄明哲 |
| 地址： | 213342 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有界面绒化层的GaAs基发光二极管，包括：P-GaAs衬底，在P-GaAs上依次外延生长的p-GaAs缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中，界面绒化层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；界面绒化层的掺杂浓度为5×1020～1×1021；界面绒化层的外延厚度为1000～3000nm。该发光二极管的外量子效率高，亮度高。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 界面 绒化层 gaas 发光二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有界面绒化层的GaAs基发光二极管，包括：P‑GaAs衬底，在P‑GaAs上依次外延生长的p‑GaAs缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；其特征在于，在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中，界面绒化层为n‑(AlxGa1‑x)yIn1‑yP，其中x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；界面绒化层的掺杂浓度为1×1020～5×1021，界面绒化层的外延厚度优选为1000～3000nm。
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