[发明专利]氟化石墨烯在制备光电探测器件中的应用有效
申请号: | 201210409506.9 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN102881759A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 王兰喜;陈学康;郭磊;曹生珠;吴敢 | 申请(专利权)人: | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一0研究所 |
主分类号: | H01L31/09 | 分类号: | H01L31/09;H01L31/028;H01L31/18 |
代理公司: | 甘肃省知识产权事务中心 62100 | 代理人: | 马英 |
地址: | 730000*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了氟化石墨烯的一种新用途,即利用氟化石墨烯作为光电敏感材料在制作光电探测器件及柔性光电探测器件中的应用。该器件可探测波长小于415nm的光。本发明首次利用氟化石墨烯作为光电敏感材料制作光电探测器件,采用柔性衬底可实现柔性的光电探测器件,相比有机半导体柔性光电探测器件,具有优良高频性能和低功耗的优势。而且氟化石墨烯的电阻可达1TΩ以上,利用氟化石墨烯制作的光电探测器具有非常低的暗电流噪声。通过化学气相沉积方法能够制备出大面积的石墨烯薄膜(对角线长度可达30英寸),这是目前其它无机宽带半导体薄膜不能达到的,因此可制作基于氟化石墨烯的超大规模光电探测阵列。 | ||
搜索关键词: | 氟化 石墨 制备 光电 探测 器件 中的 应用 | ||
【主权项】:
氟化石墨烯在制备光电探测器件中的应用。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第五研究院第五一0研究所,未经中国航天科技集团公司第五研究院第五一0研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210409506.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的