[发明专利]动态MOSFET栅极驱动器有效
| 申请号： | 201210407021.6 | 申请日： | 2012-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103095137A | 公开（公告）日： | 2013-05-08 |
| 发明（设计）人： | 李勇;史富强;A·K-C·李;D·阮;陈江 | 申请（专利权）人： | 艾沃特有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/335 | 分类号： | H02M3/335 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 这里的实施例描述一种动态金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器系统架构和控制方案。MOSFET栅极驱动器系统在单个(即一个)切换周期内动态调整栅极驱动器接通电阻和栅极驱动器关断电阻以减少系统中的电磁干扰(EMI)并且使功率MOSFET在操作期间的传导损耗最小。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 mosfet 栅极 驱动器 | ||
【主权项】：
一种切换功率转换器，包括：变压器，包括：初级绕组，耦合到输入电压；以及次级绕组，耦合到所述切换功率转换器的输出；场效应晶体管开关，耦合到所述变压器的所述初级绕组，在所述场效应晶体管开关接通之时生成经过所述初级绕组的电流，而在所述场效应晶体管开关关断之时不生成经过所述初级绕组的电流；以及驱动器控制电路，配置成生成用于在所述场效应晶体管开关的多个切换周期期间接通或者关断所述场效应晶体管开关的控制信号，所述切换周期中的每个切换周期包括其中所述场效应晶体管开关接通的第一部分和其中所述场效应晶体管开关关断的第二部分，并且所述驱动器控制电路在所述场效应晶体管开关的所述切换周期中的至少一个切换周期的所述第一部分和所述第二部分中的至少一个部分内调整所述控制信号的量值。
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