[发明专利]一种高压器件的保护环结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201210405330.X | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102969343B | 公开（公告）日： | 2017-06-23 |
| 发明（设计）人： | 孙德明;周伟 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06;H01L21/18 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)31275 | 代理人： | 吴世华,林彦之 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种高压半导体功率器件中的保护环结构以及制造方法。该保护环结构包括间断的氧化层、N型单晶硅衬底、金属场板、器件区、多个P+型注入扩散环和等位环，还包括零偏压下完全耗尽的N型注入扩散环和零偏压下完全耗尽的P型注入扩散环，N型注入扩散环嵌于P+型注入扩散环的环内，以提供正电荷；以及P型注入扩散环，嵌于N型单晶硅衬底中，位于两个P+型注入扩散环或P+型注入扩散环和等位环之间，且在金属场板的外侧，以提供负电荷，从而产生一个指向外侧且方向与表面电场相反的电场。因此，在相同的耐压值的情况下，本发明的保护环结构，不仅减少了扩散环的数目，同时，也减低了在氧化工艺中的正电荷对击穿电压的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 器件 保护环 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高压器件的保护环结构，其包括：N型单晶硅衬底(3)，在其表面上具有间断的氧化层(1)；金属场板(2)，其部分覆盖在露出的所述N型单晶硅衬底(3)的表面和氧化层(1)上，器件区(9)，嵌于N型单晶硅衬底(3)中；多个P+型注入扩散环(5)，嵌于所述N型单晶硅衬底(3)中，其中，紧邻所述器件区(9)的P+型注入扩散环(5)为零环，且以所述器件区(9)为中间区域环绕分布，在所述器件区(9)工作时接地；其他P+型注入扩散环(5)，在所述器件区(9)工作时悬浮，且以零环为中间区域，一环环绕于另一个环的外圈；等位环(4)，嵌于所述N型单晶硅衬底(3)中，且环绕于所述多个P+型注入扩散环(5)的外围；其特征在于：零偏压下完全耗尽的N型注入扩散环(6)，嵌于所述P+型注入扩散环(5)的环内，以提供正电荷；以及零偏压下完全耗尽的P型注入扩散环(7)，嵌于N型单晶硅衬底(3)中，位于两个所述P+型注入扩散环(5)或所述P+型注入扩散环(5)和所述等位环(4)之间，且在所述金属场板(2)的外侧，以提供负电荷，从而产生一个指向外侧且方向与表面电场相反的电场。
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