[发明专利]一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法

摘要

本发明公开一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于它包括以下步骤：(1)在扩散炉内用热氧化方法在晶体硅表面生长一层二氧化硅薄膜；(2)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(1)得到的二氧化硅薄膜上沉积一层氮化硅薄膜；(3)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)得到的氮化硅薄膜上沉积第二层氮化硅薄膜；(4)在上述氮化硅薄膜上印刷正反面电极、背场后进行烧结操作。：本发明得到了由二氧化硅和氮化硅组成的三层氮化硅薄膜，该减反射膜可以明显降低电池表面对光的反射，提高晶体硅太阳能的光电转换效率。

主权项

一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于它包括以下步骤：(1)在扩散炉内用热氧化方法在晶体硅表面生长一层二氧化硅薄膜；(2)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(1)得到的二氧化硅薄膜上沉积一层氮化硅薄膜；(3) 利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)得到的氮化硅薄膜上沉积第二层氮化硅薄膜；(4)在上述氮化硅薄膜上印刷正反面电极、背场后进行烧结操作。