[发明专利]一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法

权利要求书

1.一种制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法，是对经过清洗制绒，扩散制备PN结，刻蚀去除晶体硅四周的PN结，清洗去除磷硅玻璃的处理步骤后的晶体硅镀减反射膜，其特征在于它包括以下步骤：

(1)在扩散炉内用热氧化方法在晶体硅表面生长一层二氧化硅薄膜；

(2)利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(1)得到的二氧化硅薄膜上沉积一层氮化硅薄膜；

(3) 利用等离子体增强化学气相沉积方法在步骤(2)得到的氮化硅薄膜上沉积第二层氮化硅薄膜；

(4)在上述氮化硅薄膜上印刷正反面电极、背场后进行烧结操作。

2.根据权利要求1所述的制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法，其特征在于步骤(1)的工艺条件为：通入氮气流量为10-35L/min，氧气流量为15-40 L/min，温度为600-700℃，反应时间10-40min。

3.根据权利要求1所述的制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法，其特征在于步骤(2)的工艺条件为：温度为480℃，氨气流量为5.4-6.8L/min，硅烷流量为30-50 L/min，射频功率4300瓦，持续时间5min。

4.根据权利要求3所述的制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法，其特征在于步骤(2)的工艺条件为：温度为480℃，氨气流量为6L/min，硅烷流量为35 L/min，射频功率4300瓦，持续时间5min。

5.根据权利要求1所述的制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法，其特征在于步骤(3)为沉积第二层氮化硅薄膜，氮气吹扫50s，氨气流量为10-15L/min，硅烷流量为5-20 L/min，温度为460℃，射频功率4500瓦，持续时间8min。

6.根据权利要求5所述的制备用于多晶硅太阳能电池的三层减反射膜的方法，其特征在于步骤(3)为沉积第二层氮化硅薄膜，氮气吹扫50s，氨气流量为12L/min，硅烷流量为18L/min，温度为460℃，射频功率4500瓦，持续时间8min。