[发明专利]一种半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201210398957.7 | 申请日： | 2012-10-18 |
| 公开（公告）号： | CN103779204A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 韦庆松;于书坤 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/324 | 分类号： | H01L21/324;H01L21/8238 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，涉及半导体技术领域。该方法包括：步骤S101：提供半导体衬底，其包括NMOS区和PMOS区；步骤S102：对所述半导体衬底进行LDD处理；步骤S103：在所述半导体衬底上形成锗硅遮蔽层；步骤S104：对所述半导体衬底进行干法刻蚀以在所述PMOS的栅极结构的两侧形成凹槽；步骤S105：对所述半导体衬底进行退火处理；步骤S106：对所述半导体衬底进行湿法刻蚀以改善所述凹槽的形状，改善后的凹槽为sigma型；步骤S107：在所述凹槽中形成锗硅层。该半导体器件的制造方法，在干法刻蚀形成凹槽的步骤之后，增加了进行热退火处理的步骤，使非晶化的半导体衬底重新结晶化，避免了由于半导体衬底非晶化导致的锗硅堆叠位错现象，提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S101：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括NMOS区和PMOS区，所述NMOS区包括NMOS的栅极结构和偏移侧壁层，所述PMOS区包括PMOS的栅极结构和偏移侧壁层；步骤S102：对所述半导体衬底进行LDD处理；步骤S103：在所述半导体衬底上形成锗硅遮蔽层，所述锗硅遮蔽层覆盖整个所述半导体衬底；步骤S104：对所述半导体衬底进行干法刻蚀以在所述PMOS的栅极结构的两侧形成凹槽；步骤S105：对所述半导体衬底进行退火处理；步骤S106：对所述半导体衬底进行湿法刻蚀以改善所述凹槽的形状，其中，改善形状后的所述凹槽为sigma型；步骤S107：在所述凹槽中形成锗硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
