[发明专利]发光元件、制造发光元件的方法以及发光装置有效

专利信息
申请号: 201210397869.5 申请日: 2012-10-18
公开(公告)号: CN103078038B 公开(公告)日: 2017-08-11
发明(设计)人: 横关弥树博;小山享宏;成井启修;青柳秀和;塩见治典;河崎孝彦;伊藤胜利 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/04
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司11290 代理人: 武玉琴,陈桂香
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及发光元件、制造该发光元件的方法以及包含该发光元件的发光装置。发光元件包括层叠体,其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层,所述第二导电半导体层具有光提取表面;以及复合抑制结构,其设置在所述有源层的端面附近,所述复合抑制结构的带隙大于所述有源层的带隙。根据本发明,能够抑制有源层的端面处的非发光复合并提高发光效率。
搜索关键词: 发光 元件 制造 方法 以及 装置
【主权项】:
一种发光元件,其包括:层叠体,其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层,所述第二导电半导体层具有光提取表面;以及复合抑制结构,其包括扩散部,所述扩散部包括用于扩大所述有源层的带隙的材料,所述扩散部设置在所述有源层的端部中。
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