[发明专利]发光元件、制造发光元件的方法以及发光装置

权利要求书

1.一种发光元件，其包括：

层叠体，其依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层具有光提取表面；以及

复合抑制结构，其包括扩散部，所述扩散部包括用于扩大所述有源层的带隙的材料，所述扩散部设置在所述有源层的端部中。

2.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述复合抑制结构还包括结晶膜，所述结晶膜自外部覆盖所述有源层的端面，用于制成所述结晶膜的组成材料的带隙大于所述有源层的组成材料的带隙。

3.如权利要求2所述的发光元件，其中，所述结晶膜覆盖整个所述层叠体的端面。

4.如权利要求2所述的发光元件，其中，

所述有源层包括Al、In、Ga、P及As中的一种或多种元素，以及

所述结晶膜包括所述有源层中所包含的一种或多种元素。

5.如权利要求2所述的发光元件，其中，

所述结晶膜包括Al₂O₃，以及

所述Al₂O₃是通过氧化包含Al的膜而获得的。

6.如权利要求5所述的发光元件，其中，所述包含Al的膜为AlAs膜。

7.如权利要求2所述的发光元件，其中，所述结晶膜的膜厚度等于或小于100纳米。

8.如权利要求2所述的发光元件，其中，所述结晶膜包括具有不同带隙大小的多层膜。

9.如权利要求8所述的发光元件，其中，

在所述多层膜中，距所述有源层最远的膜包括Al₂O₃，以及

所述Al₂O₃是通过形成包含Al的膜并随后氧化所述包含Al的膜而获得的。

10.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述扩散部所包括的材料为锌。

11.如权利要求1所述的发光元件，其包括：

位于所述层叠体的端部中的绝缘部。

12.如权利要求11所述的发光元件，其中，所述扩散部设置在第一绝缘部与第二绝缘部之间，并且

其中，所述绝缘部包括所述第一绝缘部及所述第二绝缘部，所述第一绝缘部位于所述第一导电半导体层的端部处，所述第二绝缘部位于所述第二导电半导体层的端部处。

13.如权利要求1所述的发光元件，其中，所述有源层的面积等于或小于2500平方微米。

14.一种发光装置，其包括权利要求1-13中任一项所述的发光元件。

15.一种用于制造发光元件的方法，其包括：

形成层叠体，所述层叠体依次包括第一导电半导体层、有源层以及第二导电半导体层，所述第二导电半导体层具有光提取表面；以及

形成复合抑制结构，所述复合抑制结构包括扩散部，所述扩散部包括用于扩大所述有源层的带隙的材料，所述扩散部设置在所述有源层的端部中。

16.如权利要求15所述的用于制造发光元件的方法，其中，

所述复合抑制结构还包括结晶膜，所述结晶膜自外部覆盖所述有源层的端面，用于制成所述结晶膜的组成材料的带隙大于所述有源层的组成材料的带隙，以及

所述结晶膜是由金属有机化学气相沉积方法和溅射方法中的一种形成的。

17.如权利要求16所述的用于制造发光元件的方法，其中，所述层叠体在700摄氏度或更高的温度下退火，并随后形成所述结晶膜。

18.如权利要求16所述的用于制造发光元件的方法，其中，依次形成所述第一导电半导体层、所述有源层、所述第二导电半导体层及所述结晶膜，并随后移除位于所述第二导电半导体层的顶面上的所述结晶膜，以获得所述光提取表面。

19.如权利要求16所述的用于制造发光元件的方法，其中，所述结晶膜包括用于扩大所述有源层的带隙的扩散材料，并且所述方法还包括：通过在400-600摄氏度的温度下对所述结晶膜执行热处理来形成扩散部。

20.如权利要求19所述的用于制造发光元件的方法，其还包括：通过干法蚀刻和湿法蚀刻之一来移除所述结晶膜。

21.如权利要求15所述的用于制造发光元件的方法，其还包括：在所述层叠体的端部中形成绝缘部。