[发明专利]半导体器件制造方法

摘要

本发明提供了一种体硅FinFET制造方法。本发明采用了后栅工艺，首先形成了虚设栅极，然后通过形成中间介质层，去除虚设栅极，并形成保护介质层，之后对STI进行腐蚀，暴露出部分半导体柱的侧面；腐蚀去除部分或者全部暴露出的半导体柱，并对剩余材料进行氧化，这样，在晶体管沟道区域与衬底之间形成了绝缘隔离结构，避免了泄漏电流的产生，同时，晶体管产生的热量可以经由源漏区域与衬底相连的部分而散出，确保了体硅FinFET的优点。

主权项

一种半导体器件制造方法，用于制造FinFET器件，其特征在于包括如下步骤：提供半导体衬底，在该半导体衬底上形成鳍状半导体柱，所述鳍状半导体柱与半导体衬底直接相连；形成STI结构；形成FinFET的虚设栅极绝缘层，虚设栅极，栅极间隙壁，源漏区域；全面形成沉积中间介质层；采用CMP工艺，去除部分所述中间介质层，打开所述虚设栅极的顶面；去除所述虚设栅极和所述虚设栅极绝缘层，暴露出所述鳍状半导体柱中的FinFET沟道区域；在暴露出的所述鳍状半导体柱上形成保护介质层；去除部分厚度的STI结构，暴露出位于所述保护介质层下方的部分所述鳍状半导体柱侧面；对暴露的出位于所述保护介质层下方的部分所述鳍状半导体柱侧面进行腐蚀，去除部分暴露出的所述鳍状半导体柱的材料，在所述鳍状半导体柱中FinFET沟道区域的下部形成比所述鳍状半导体柱厚度更薄的减薄半导体部分；对所述减薄半半导体部分进行氧化，形成氧化隔离部；去除所述保护介质层；依次形成栅极绝缘层和栅极。