[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201210391190.5 | 申请日： | 2012-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103545248A | 公开（公告）日： | 2014-01-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡政勋;李忠儒;姚欣洁;包天一 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/033 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了制造半导体器件的方法。在一个实施例中，在工件之上形成材料层。工件包括第一部分、第二部分以及设置在第一部分和第二部分之间的硬掩模。图案化材料层，并在图案化材料层的侧壁上形成第一间隔件。去除图案化材料层，并将第一间隔件用作蚀刻掩模来工件的图案化第二部分。去除第一间隔件，并在工件的图案化第二部分的侧壁上形成第二间隔件。去除工件的图案化第二部分，并将第二间隔件用作蚀刻掩模来图案化工件的硬掩模。将硬掩模用作蚀刻掩模来图案化工件的第一部分。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种制造半导体器件的方法，所述方法包括：在工件之上形成材料层，所述工件包括第一部分、第二部分以及设置在所述第一部分和所述第二部分之间的硬掩模；图案化所述材料层；在图案化材料层的侧壁上形成第一间隔件；去除所述图案化材料层；将所述第一间隔件用作蚀刻掩模来图案化所述工件的所述第二部分；去除所述第一间隔件；在所述工件的图案化第二部分的侧壁上形成第二间隔件；去除所述工件的所述图案化第二部分；将所述第二间隔件用作蚀刻掩模来图案化所述工件的所述硬掩模；以及将所述硬掩模用作蚀刻掩模来图案化所述工件的所述第一部分。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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