[发明专利]面结型场效应晶体管及其制造方法

摘要

本发明公开了一种面结型场效应晶体管，沟道区设置在两个相邻的同种掺杂的阱区之间且是通过两相邻的阱区的扩散实现沟道区的掺杂，掺杂类型相反的阱区设置在沟道区的上方用于对沟道区进行纵向耗尽。本发明能降低沟道区的掺杂浓度并使沟道区的夹断电压降低，从而能使沟道区的夹断电压可调并能得到较小的夹断电压且并不需要增加额外成本；本发明仅需调节沟道区两侧的两个相邻的同种掺杂的阱区的宽度，就实现沟道区的宽度的条件，从而能调节器件的沟道电流，而且很容易实现沟道电流的增加，得到较大的沟道电流。本发明还公开了一种面结型场效应晶体管的制造方法。

主权项

一种面结型场效应晶体管，其特征在于，包括：两个第一导电类型阱，形成于第二导电类型的半导体衬底上，两个所述第一导电类型阱之间相隔距离一、且两个所述第一导电类型阱之间的区域形成沟道区，该沟道区为第一导电类型掺杂、且所述沟道区的第一导电类型杂质是由两个所述第一导电类型阱的杂质扩散形成；通过调节所述距离一调节所述沟道区的掺杂浓度以及调节面结型场效应晶体管的夹断电压；在第一个第一导电类型阱中形成有第一导电类型重掺杂的源区、在第二个第一导电类型阱中形成有第一导电类型重掺杂的漏区；在俯视面上，所述源区到漏区的方向为长度方向、和该长度方向垂直的为宽度方向；所述沟道区的宽度由两个所述第一导电类型阱的宽度决定，并通过调节两个所述第一导电类型阱的宽度调节所述面结型场效应晶体管的沟道电流；一第二导电类型阱，形成于所述沟道区顶部并从顶部将所述沟道区全部覆盖，所述第二导电类型阱还延伸到所述沟道区周侧的两个所述第一导电类型阱、或所述半导体衬底中，所述第二导电类型阱的结深小于两个所述第一导电类型阱的结深，所述第二导电类型阱用于从顶部对所述沟道区进行纵向耗尽；在所述第二导电类型阱中形成有第二导电类型重掺杂的引出区一、在两个所述第一导电类型阱以及所述第二导电类型阱外部的所述半导体衬底中形成有第二导电类型重掺杂的引出区二，所述引出区一和所述引出区二通过金属连线相连并引出栅极。