[发明专利]晶圆电性测试的方法

摘要

一种晶圆电性测试的方法，包括：步骤S1：提供具有第一刻蚀阻挡层的待电性测试晶圆，所述第一刻蚀阻挡层的厚度为h1，所述第一刻蚀阻挡层的第一厚度h1至少可以阻止所述待电性测试晶圆的铜填充在所述电性测试过程中形成铜突起缺陷；步骤S2：光刻形成探针扎入区图案；步骤S3：刻蚀形成具有第二厚度h2的第二刻蚀阻挡层；步骤S4：进行电性测试；步骤S5：淀积具有第三厚度h3的第三刻蚀阻挡层，且h3﹥h1-h2；步骤S6：光刻形成刻蚀阻隔层弥补区图案；步骤S7：刻蚀并结合平坦化处理工艺使刻蚀阻挡层的整体厚度h≥h1。本发明所述晶圆电性测试的方法不仅可以保证所述待电性测试晶圆在长时间电性测试时不产生铜突出缺陷，而且可以长时间停留以满足不同电性测试之需并不影响后续制程。

主权项

一种晶圆电性测试的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：提供具有第一刻蚀阻挡层的待电性测试晶圆，所述第一刻蚀阻挡层的厚度为h1，所述第一刻蚀阻挡层的第一厚度h1至少可以阻止所述待电性测试晶圆的铜填充在所述电性测试过程中形成铜突起缺陷；所述待电性测试晶圆为将具有铜填充的硅基衬底经过铜化学机械研磨后并在所述硅基衬底之铜填充所在的上表面淀积具有第一厚度h1的第一刻蚀阻挡层；执行步骤S2：在所述具有第一厚度h1的第一刻蚀阻挡层之异于所述硅基衬底的一侧涂覆第一光阻，并曝光、显影、光刻以形成用于晶圆电性测试的探针扎入区图案；执行步骤S3：对所述探针扎入区图案内的第一刻蚀阻挡层进行刻蚀，以形成具有第二厚度h2的第二刻蚀阻挡层；执行步骤S4：将用于晶圆电性测试的探针扎穿所述具有第二厚度h2的第二刻蚀阻挡层并与所述铜填充电性连接以进行相关电性测试；执行步骤S5：待电性测试结束后，在所述分别具有第一厚度h1的第一刻蚀阻挡层和所述具有第二厚度h2的第二刻蚀阻挡层表面淀积具有第三厚度h3的第三刻蚀阻挡层，且所述第三厚度h3大于所述第一厚度h1与所述第二厚度h2之差，即h3﹥h1﹣h2；执行步骤S6：在所述具有第三厚度h3的第三刻蚀阻挡层之异于所述第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层的一侧涂覆第二光阻，并曝光、显影、光刻以形成所述刻蚀阻隔层弥补区图案；执行步骤S7：刻蚀所述刻蚀阻挡层弥补区图案内的第三刻蚀阻挡层，并结合平坦化处理工艺使位于所述铜填充所在表面上的刻蚀阻挡层的整体厚度h≥h1。