[发明专利]晶圆电性测试的方法

权利要求书

1.一种晶圆电性测试的方法，其特征在于，所述方法包括：

执行步骤S1：提供具有第一刻蚀阻挡层的待电性测试晶圆，所述第一刻蚀阻挡层的厚度为h₁，所述第一刻蚀阻挡层的第一厚度h₁至少可以阻止所述待电性测试晶圆的铜填充在所述电性测试过程中形成铜突起缺陷；所述待电性测试晶圆为将具有铜填充的硅基衬底经过铜化学机械研磨后并在所述硅基衬底之铜填充所在的上表面淀积具有第一厚度h₁的第一刻蚀阻挡层；

执行步骤S2：在所述具有第一厚度h₁的第一刻蚀阻挡层之异于所述硅基衬底的一侧涂覆第一光阻，并曝光、显影、光刻以形成用于晶圆电性测试的探针扎入区图案；

执行步骤S3：对所述探针扎入区图案内的第一刻蚀阻挡层进行刻蚀，以形成具有第二厚度h₂的第二刻蚀阻挡层；

执行步骤S4：将用于晶圆电性测试的探针扎穿所述具有第二厚度h₂的第二刻蚀阻挡层并与所述铜填充电性连接以进行相关电性测试；

执行步骤S5：待电性测试结束后，在所述分别具有第一厚度h₁的第一刻蚀阻挡层和所述具有第二厚度h₂的第二刻蚀阻挡层表面淀积具有第三厚度h₃的第三刻蚀阻挡层，且所述第三厚度h₃大于所述第一厚度h₁与所述第二厚度h₂之差，即h₃﹥h₁﹣h₂；

执行步骤S6：在所述具有第三厚度h₃的第三刻蚀阻挡层之异于所述第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层的一侧涂覆第二光阻，并曝光、显影、光刻以形成所述刻蚀阻隔层弥补区图案；

执行步骤S7：刻蚀所述刻蚀阻挡层弥补区图案内的第三刻蚀阻挡层，并结合平坦化处理工艺使位于所述铜填充所在表面上的刻蚀阻挡层的整体厚度h≥h₁。

2.如权利要求1所述的晶圆电性测试的方法，其特征在于，所述第二刻蚀阻挡层的第二厚度h₂小于所述第一刻蚀阻挡层的第一厚度h₁。

3.如权利要求2所述的晶圆电性测试的方法，其特征在于，所述第一厚度h₁为所述第二厚度h₂的

4.如权利要求1所述的晶圆电性测试的方法，其特征在于，位于所述铜填充所在表面上的刻蚀阻挡层的整体厚度h＝h₁。

5.如权利要求1～5任一权利要求所述的晶圆电性测试的方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层、第二刻蚀阻挡层、第三刻蚀阻挡层均为碳氮化硅。

6.如权利要求5所述的晶圆电性测试的方法，其特征在于，所述第一刻蚀阻挡层的第一厚度h₁为500埃，所述第二刻蚀阻挡层的第二厚度h₂为80埃，所述第三刻蚀阻挡层的厚度h₃为450埃，所述刻蚀阻挡层的整体厚度h为500埃。