[发明专利]晶体管的制作方法无效
| 申请号： | 201210388900.9 | 申请日： | 2012-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN102881597A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 李全波;张瑜;崇二敏 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶体管的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层、硬掩膜层、抗反射层和图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层进行刻蚀工艺，形成图形化的抗反射层；以所述图形化的抗反射层为掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀工艺，形成图形化的硬掩膜层；去除所述抗反射层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，对所述多晶硅层进行刻蚀工艺，形成栅极。本发明提高了形成的栅极的形貌，改善了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 制作方法 | ||
【主权项】：
一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多晶硅层、硬掩膜层、抗反射层和图形化的光刻胶层；以所述光刻胶层为掩膜，对所述抗反射层进行刻蚀工艺，形成图形化的抗反射层；以所述图形化的抗反射层为掩膜，对所述硬掩膜层进行刻蚀工艺，形成图形化的硬掩膜层；去除所述抗反射层；以所述图形化的硬掩膜层为掩膜，对所述多晶硅层进行刻蚀工艺，形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
