[发明专利]一种圆片级芯片封装方法

摘要

本发明涉及一种圆片级芯片封装方法，属于芯片封装技术领域。它包括设置有芯片电极（2）和芯片感应区（3）的芯片本体（1），所述芯片本体（1）上设置隔离层（4），所述隔离层（4）上设置盖板（5），在所述芯片本体（1）的芯片电极（2）下通过光刻、干法刻蚀、去除光刻胶、再次干法刻蚀，形成喇叭形硅通孔（11），硅通孔（11）处依次使用化学气相沉积（CVD）的方法形成绝缘层（12）、干法刻蚀的方法形成金属线路层（7）、线路保护层（8）和在线路保护层（8）上的焊球（9）。本发明的圆片级芯片封装方法的侧壁光滑度好、工艺兼容性好、工艺难度小、可靠性好。

主权项

一种圆片级芯片封装方法，其工艺步骤如下：步骤一：取集成了芯片电极（2）及芯片感应区（3）的芯片本体（1）组成的晶圆（T1）； 步骤二：通过健合工艺将盖板（5）与晶圆（T1）通过隔离层（4）粘接在一起；步骤三：将上述结构上下翻转180°，通过磨片、干法刻蚀或湿法腐蚀方法，将晶圆（T1）减薄到设定厚度；步骤四：对上述结构依次通过光刻、干法刻蚀、去除光刻胶、再次干法刻蚀的方法，形成喇叭形的硅通孔（11），所述硅通孔（11）的顶部直达芯片电极（2）的下表面；步骤五：在硅通孔（11）内部及芯片本体（1）下表面通过化学气相沉积（CVD）的方法，形成绝缘层（12）；步骤六：通过干法刻蚀的方法，使芯片电极（2）的下表面露出绝缘层（12）；步骤七：在芯片电极（2）的下表面和在绝缘层（12）上依次通过溅射、光刻、电镀、光刻胶剥离以及金属刻蚀工艺，或者通过溅射、光刻、金属刻蚀及化学镀工艺，形成选择性的金属线路层（7）；步骤八：在所述绝缘层（12）和金属线路层（7）上通过光刻工艺选择性地形成线路保护层（8），并在所述金属线路层（7）的露出线路保护层（8）的地方印刷焊料或电镀焊料或植放焊球，然后使焊料或焊球通过回流的方法形成与金属线路层（7）连接的焊球（9）；步骤九：将上述晶圆（T1）进行切割，形成单颗的圆片级喇叭形孔芯片封装结构。