[发明专利]薄膜晶体管主动装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201210381032.1 | 申请日： | 2012-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN102856392A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 江政隆;陈柏林 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管主动装置及其制作方法，所述薄膜晶体管主动装置包括：基板及形成于基板上的数个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极绝缘层与氧化物半导体主动层，该栅极绝缘层为氧化硅层，其折射率介于1.43~1.47之间。本发明提供的薄膜晶体管主动装置及其制作方法，通过薄膜晶体管的栅极绝缘层形成时，控制化学气相沉积时氧化二氮与四氢化硅的流量比率大于30%，进而控制由氧化硅形成的栅极绝缘层的折射率介于1.43~1.47之间；同时，降低栅极绝缘层中N-H键含量，有效避免由于栅极绝缘层中的高含量N-H键所导致的栅极绝缘层与氧化物半导体主动层的高界面陷阱密度，有效避免氧化物半导体TFT的电性劣化。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 主动 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管主动装置，其特征在于，包括：基板及形成于基板上的数个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有栅极绝缘层与氧化物半导体主动层，该栅极绝缘层为氧化硅层，其折射率介于1.43~1.47之间。
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