[发明专利]MOS管及其形成方法有效
| 申请号： | 201210379976.5 | 申请日： | 2012-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103715092A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种MOS管及其形成方法，其中，MOS管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有伪栅极结构，并且所述伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成有第一应力层；形成位于所述半导体衬底和第一应力层表面的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层与所述伪栅极结构表面齐平；去除所述伪栅极结构，形成暴露出部分半导体衬底的开口；在所述开口底部的半导体衬底内形成第二应力层，所述第二应力层的应力类型与第一应力层的应力类型相反；形成位于所述第二应力层表面的栅极结构，所述栅极结构与所述开口表面齐平。形成的MOS管沟道区的载流子迁移率高，MOS管的性能优越。 | ||
| 搜索关键词： | mos 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种MOS管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有伪栅极结构，并且所述伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成有第一应力层；形成位于所述半导体衬底和第一应力层表面的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层与所述伪栅极结构表面齐平；去除所述伪栅极结构，形成暴露出部分半导体衬底的开口；在所述开口底部的半导体衬底内形成第二应力层，所述第二应力层的应力类型与第一应力层的应力类型相反；形成位于所述第二应力层表面的栅极结构，所述栅极结构与所述开口表面齐平。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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