[发明专利]MOS管及其形成方法

权利要求书

1.一种MOS管的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有伪栅极结构，并且所述伪栅极结构两侧的半导体衬底内形成有第一应力层；

形成位于所述半导体衬底和第一应力层表面的刻蚀停止层，所述刻蚀停止层与所述伪栅极结构表面齐平；

去除所述伪栅极结构，形成暴露出部分半导体衬底的开口；

在所述开口底部的半导体衬底内形成第二应力层，所述第二应力层的应力类型与第一应力层的应力类型相反；

形成位于所述第二应力层表面的栅极结构，所述栅极结构与所述开口表面齐平。

2.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，所述第二应力层的形成步骤为：沿所述开口刻蚀所述半导体衬底，形成沟槽；形成位于所述沟槽内、且与所述半导体衬底表面齐平的第二应力层。

3.如权利要求2所述的MOS管的形成方法，其特征在于，还包括：回刻蚀部分厚度的第二应力层；在剩余的第二应力层表面形成本征层。

4.如权利要求3所述的MOS管的形成方法，其特征在于，所述本征层的厚度为20纳米-100纳米。

5.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，所述MOS管为NMOS管时，所述第一应力层的材料为碳化硅，所述第二应力层的材料为锗硅。

6.如权利要求5所述的MOS管的形成方法，其特征在于，所述第一应力层中碳的摩尔百分比为3%-10%。

7.如权利要求5所述的MOS管的形成方法，其特征在于，所述第二应力层中锗的摩尔百分比为20%-50%。

8.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，所述第一应力层的厚度为50纳米-2微米。

9.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，所述第二应力层的厚度为50纳米-100纳米。

10.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，还包括：在形成栅极结构前，向所述第二应力层内掺杂离子，形成电压控制层。

11.如权利要求10所述的MOS管的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述电压控制层底部的屏蔽层；形成位于所述屏蔽层底部的阱区。

12.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，当所述MOS管为PMOS管时，所述第一应力层的材料为锗硅，所述第二应力层的材料为碳化锗。

13.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，所述第一应力层的形成步骤为：在形成伪栅极结构前，形成覆盖所述半导体衬底200表面的第一应力薄膜；待去除伪栅极结构后，沿开口刻蚀所述第一应力薄膜，形成第一应力层。

14.如权利要求1所述的MOS管的形成方法，其特征在于，还包括：形成位于所述第一应力层表面的第三应力层，所述第三应力层的材料为氮化硅。

15.一种MOS管，其特征在于，包括：

半导体衬底；

栅极结构，所述栅极结构位于所述半导体衬底表面；

第一应力层，所述第一应力层位于所述栅极结构两侧的半导体衬底内；

第二应力层，所述第二应力层位于栅极结构底部的半导体衬底内，且其应力类型与第一应力层的应力类型相反。

16.如权利要求15所述的MOS管，其特征在于，还包括：位于所述第二应力层表面的本征层，所述本征层表面与半导体衬底表面齐平。

17.如权利要求16所述的MOS管，其特征在于，所述本征层的厚度为20纳米-100纳米。

18.如权利要求16所述的MOS管，其特征在于，所述MOS管为NMOS管时，所述第一应力层的材料为碳化硅，所述第二应力层的材料为锗硅。

19.如权利要求18所述的MOS管，其特征在于，所述第一应力层中碳的摩尔百分比为3%-10%；所述第二应力层中锗的摩尔百分比为20%-50%。

20.如权利要求15所述的MOS管，其特征在于，所述第一应力层的厚度为50纳米-2微米；所述第二应力层的厚度为50纳米-100纳米。

21.如权利要求15所述的MOS管，其特征在于，当所述MOS管为PMOS管时，所述第一应力层的材料为锗硅，所述第二应力层的材料为碳化锗。