[发明专利]单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路有效
申请号: | 201210375929.3 | 申请日: | 2012-09-28 |
公开(公告)号: | CN102843102A | 公开(公告)日: | 2012-12-26 |
发明(设计)人: | 何鑫;王玮冰 | 申请(专利权)人: | 江苏物联网研究发展中心 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26;H03L7/08 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所 32104 | 代理人: | 曹祖良 |
地址: | 214135 江苏省无锡市新*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供了一种单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路,该电路包括四个部分:MEMS电容桥式电路,信号输入通道、参考信号输入通道、相关器。其中,MEMS电容桥式电路为MEMS器件部分,其余部分为CMOS电路部分。信号通道中有前置放大器、滤波电路、交流放大电路构成,。参考通道中,包括触发电路、移相电路和方波驱动电路。最后一个部分是相敏检测器和低通滤波器。本发明的优点是:本发明通过差分电容电桥的变化,加上频率调制,实现MEMS与CMOS单片集成,同时为了降低MEMS器件的噪声和影响,使用锁相技术,优点是能够将寄生参数等不理想特性减小到最理想的情况,通过滤波和互相关技术去掉噪声的影响。 | ||
搜索关键词: | 单片 集成 mems 电容 传感器 放大 电路 | ||
【主权项】:
单片集成MEMS电容传感器锁相放大电路,其特征是:包括交流调制信号发生器(101)、MEMS电容电桥(102)、前置放大器(103)、滤波电路(104)、交流放大电路(105)、相敏检测器(106)、低通滤波器(107)、方波驱动电路(108)、移相电路(109)和参考触发电路(111);所述调制信号发生器(101)输出端连接MEMS电容电桥(102)输入端和参考触发电路(111)输入端,交流调制信号发生器(101)产生交流调制信号,其信号频率同时调制MEMS电容电桥(102)和参考触发电路(111);在信号通道上,MEMS电容电桥(102)输出连接下一级的前置放大器(103)的输入端,前置放大器(103)的输出连接滤波电路(104)的输入端,经过滤波,滤波电路(104)输出与交流放大电路(105)的输入端相接,交流放大电路(105)的输出与相敏检测器(106)的一个输入端相接;在参考通道上,参考触发电路(111)的输出接移相电路(109)的输入端,移相电路(109)输出端接方波驱动电路(108)的输入端,方波驱动电路(108)的输出接相敏检测器(106)的另一个输入端;经过相敏检测器(106)的相关性检测,相敏检测器(106)的输出连接低通滤波器(107)输入端,最后低通滤波器(107)输出最终的信号。
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