[发明专利]一种用于提高金属电极与晶体硅附着力的激光掺杂工艺

摘要

本发明公开了用于一种用于提高金属电极与晶体硅的附着力的激光掺杂工艺，包括硅片制绒、硼扩散、生长掩膜、磷扩散、激光掺杂、电镀；通过在激光掺杂工艺中采用具有均匀能量分布的线性聚焦光斑，结合对脉冲波形的控制，实现激光掺杂后既能维持硅表面的绒面形貌又能形成均匀的掺杂浓度分布，可以有效地提高电镀后金属电极与晶体硅的附着力，该方法可以提高电池的性能与稳定性，提高电池转换效率，满足工业化大规模生产。

主权项

一种用于提高金属电极与晶体硅附着力的激光掺杂工艺，硅片制绒，硼扩散，生长掩膜，磷扩散，激光掺杂，电镀，其特征在于： 所述的激光掺杂采用聚焦线性光斑光学系统及结合整形脉冲波完成，所述的聚焦线性光斑能量均匀分布，其短轴长轴之比为1:2‑1:50，短轴尺寸为10‑30um，长轴尺寸为20‑1500um。