[发明专利]一种用于提高金属电极与晶体硅附着力的激光掺杂工艺

权利要求书

1.一种用于提高金属电极与晶体硅附着力的激光掺杂工艺，硅片制绒，硼扩散，生长掩膜，磷扩散，激光掺杂，电镀，其特征在于： 所述的激光掺杂采用聚焦线性光斑光学系统及结合整形脉冲波完成，所述的聚焦线性光斑能量均匀分布，其短轴长轴之比为1:2-1:50，短轴尺寸为10-30um，长轴尺寸为20-1500um。

2.根据权利要求1所述的一种用于提高金属电极与晶体硅附着力的激光掺杂工艺，其特征在于：所述的整形脉冲波是可调制的，在2个或2个以上时间区间段具备不同的脉冲能量与峰值功率。

3.根据权利要求2所述的一种用于提高金属电极与晶体硅附着力的激光掺杂工艺，其特征在于：所述的2个时间区段为第一时间区段（8）、第二时间区段（9），所述的第一时间区段（8）时间为2-100ns，所述的第二时间区段（9）的时间为10-2000ns。