[发明专利]一种制绒深度稳定的方法无效
| 申请号： | 201210373312.8 | 申请日： | 2012-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN102916075A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 张若华;杨乐;陆宇峰;姚猛;豆晓波 | 申请（专利权）人： | 奥特斯维能源（太仓）有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;C30B33/10 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 215434 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制绒深度稳定的方法，NIAK机台的在制绒槽中部设置前粗后细的多喷嘴管道，所述多喷嘴管道上的喷嘴从前到后喷出液体的高度相同。本发明采用通过多喷嘴管道均匀的喷入制绒槽的各点，带动制绒槽中各处溶液的交换、循环；制绒槽中不再有层流现象，使NOx在制绒槽中均匀分布，制绒深度波动较小，使制绒深度稳定。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 深度 稳定 方法 | ||
【主权项】：
一种制绒深度稳定的方法，其特征在于：NIAK机台的在制绒槽（1）中部设置前粗后细的多喷嘴管道（2），所述多喷嘴管道上的喷嘴（3）从前到后喷出液体的高度相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
