[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 201210364883.5 | 申请日： | 2012-09-26 |
| 公开（公告）号： | CN103023480B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 桑原浩一;山口公一 | 申请（专利权）人： | 三美电机株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人： | 曾贤伟,范胜杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种能够将箝位电压设定为正确值的半导体集成电路。该半导体集成电路具有恒定电流部（60），其被供给电源并产生恒定电流，其中所述电源为第一电压；箝位部（71），其被供给由恒定电流部（60）产生的恒定电流并产生比第一电压低的第二电压，将第一电压的电源箝位在第二电压；以及基准电压产生部（72），其被供给由箝位部（71）箝位后的电源并产生基准电压，箝位部（71）是将栅极与漏极连接并纵型连接而成的多级MOS晶体管（M11‑1~M11‑n）。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
一种半导体集成电路，其特征在于，具有：恒定电流部，其被供给电源并产生恒定电流，其中所述电源为第一电压；箝位部，其被供给由所述恒定电流部所产生的恒定电流并产生比所述第一电压低的第二电压，将所述第一电压的电源箝位在所述第二电压；以及基准电压产生部，其被供给由所述箝位部箝位后的电源并产生基准电压，所述箝位部是将栅极与漏极连接并纵型连接而成的n级MOS晶体管，所述纵型连接而成的n级MOS晶体管在饱和区域进行工作，使用所述恒定电流IREF、电子的移动度μn、每单位面积的栅极容量Cox、MOS晶体管的栅极宽度W、MOS晶体管的栅极长度L、MOS晶体管的临界电压Vth，以下述公式来表示为所述第二电压的Vc，VC＝n×[2×IREF/(μnCox)]1/2×(L/W)1/2+n×Vth。
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