[发明专利]一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法

摘要

一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法，包括以下步骤：将衬底进行退火，然后进行氮化处理；生长低温GaN缓冲层；生长未掺杂的高温GaN缓冲层；生长掺杂浓度稳定的Si掺杂的N型GaN层；生长低温浅量子阱；生长低温多量子阱发光层，所述多量子阱发光层分为三部分在不同生长条件下进行生长；以氮气作为载气生长低温P型GaN层；升温生长P型AlGaN电子阻挡层；生长高温P型GaN层；生长P型接触层；降低反应室的温度，退火，再降至室温。本发明在生长多量子阱时能够优化调整PN结的位置，更多地俘获载子并使其复合，提高发光效率，增加内量子阱效应，进而获得高发光强度的GaN基LED发光二极管。

主权项

一种改善GaN基LED量子阱结构提高载子复合效率的外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，将衬底（1）在氢气气氛里进行退火1‑10分钟，清洁所述衬底（1）表面，温度控制在1050‑1080℃之间，然后进行氮化处理；步骤二，将温度下降到450℃‑650℃之间，生长15‑35nm厚的低温GaN缓冲层（2），生长压力控制在4000‑760 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在500‑3200之间；步骤三，所述低温GaN缓冲层（2）生长结束后，对其原位进行热退火处理，停止通入TMGa，将所述衬底（1）的温度升高至950‑1200℃之间，退火时间在5min至10min之间，退火之后，将温度调节至1000‑1200℃之间，生长厚度为0.8µm‑4µm间的未掺杂的高温GaN缓冲层（3），生长压力在100Torr‑600 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300‑3300之间；步骤四，所述未掺杂的高温GaN缓冲层（3）生长结束后，生长一层掺杂浓度稳定的Si掺杂的N型GaN层（4），厚度在1.0‑5.0µm之间，生长温度在1000℃‑1200℃之间，生长压力在50‑550 Torr之间，Ⅴ/Ⅲ摩尔比在300‑3300之间；步骤五，所述Si掺杂的N型GaN层（4）生长结束后，生长低温浅量子阱（5），所述浅量子阱（5）由5‑15个周期的InxGa1‑XN(0.04

下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。 免登录下载普通用户下载升级VIP会员，免费下载

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于合肥彩虹蓝光科技有限公司，未经合肥彩虹蓝光科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】

本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210363117.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。