[发明专利]用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法有效
申请号: | 201210358824.7 | 申请日: | 2012-09-24 |
公开(公告)号: | CN103668104A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 李灿;程士敏;应品良;任通;秦炜 | 申请(专利权)人: | 中国科学院大连化学物理研究所 |
主分类号: | C23C16/01 | 分类号: | C23C16/01;C23C16/24 |
代理公司: | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人: | 马驰 |
地址: | 116023 *** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明公开一种以离子液体为基底用于热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法。在离子液体液面上热丝化学气相沉积制备硅薄膜,不同于传统的固体基底,液面上所合成的硅薄膜可转移,呈自支撑状态。进一步,本发明通过引入专门设计的刮刀对离子液体液面上生成的薄膜不断的刮取,可在一次实验中合成出多张厚度相近的硅纳米薄膜,有潜在的批量合成效果和实际应用价值。此外,所制备出的硅纳米薄膜采用了透析的方法去除离子液体,可实现对样品的有效清洗。 | ||
搜索关键词: | 离子 液体 衬底 化学 沉积 制备 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
用离子液体作衬底的热丝化学气相沉积制备硅薄膜的方法,其特征在于:采用热丝化学气相沉积装置,以离子液体为基底,将盛有离子液体的上端开口的容器置于热丝化学气相沉积装置的样品台上,在离子液体液面上热丝化学气相沉积制备硅薄膜。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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