[发明专利]一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210355925.9 | 申请日： | 2012-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN102915911A | 公开（公告）日： | 2013-02-06 |
| 发明（设计）人： | 陈刚;李理;刘海琪;柏松 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/04 | 分类号： | H01L21/04 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水;周晓梅 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法。其工艺包括：一、在碳化硅外延层上形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳化硅表面的同时去除光刻胶；五、用余下的介质层作为阻挡层，采用第二种条件干法刻蚀碳化硅形成台面；六、进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅表面所有介质。优点：解决了金属掩膜形成碳化硅台面时出现的边缘毛刺问题、底部因金属微溅射出现的尖峰问题及高温时易发生的金属离子污染等问题，通过自对准方式保证碳化硅台面的注入保护及台面外区域的露出及刻蚀，保证台面底部区域表面平滑，便于后续工艺的操作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 碳化硅 台面 底部 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种改善碳化硅台面底部的刻蚀方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：一、在碳化硅外延层上采用化学气相淀积方法形成一层介质膜；二、在介质膜上涂覆光刻胶，通过光刻工艺形成台面的图形转移；三、光刻胶作为阻挡层，采用第一种条件干法刻蚀介质膜；四、过刻蚀介质膜到碳化硅表面的同时去除光刻胶；五、用介质层作为阻挡层，采用第二种条件干法刻蚀碳化硅形成台面；六、进行部分工艺后，湿法腐蚀去除碳化硅表面所有介质。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
