[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210350791.1 | 申请日： | 2012-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN103681845A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 涂火金 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 罗银燕 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有用于源区/漏区的凹槽；以及SiGe种子层，所述SiGe种子层同时形成在所述凹槽的侧壁和底壁上。其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的厚度是不均匀的，以及所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度在对应于沟道区的位置处。本发明的半导体器件及其制造方法使得SiGe种子层能够更有效地阻挡诸如硼的元素的扩散等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底中形成有用于源区/漏区的凹槽；以及SiGe种子层，所述SiGe种子层同时形成在所述凹槽的侧壁和底壁上，其中，所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的厚度是不均匀的，以及所述凹槽的侧壁上的所述SiGe种子层的最大厚度在对应于沟道区的位置处。
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