[发明专利]一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺

摘要

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺。本发明实施例一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，首先通过对膜内刻蚀阻挡层的有效区域进行图形化预定义，并将非有效区域进行刻蚀，而有效区域在后续的刻蚀工艺中，在起到保护下层介电质膜形貌的作用同时被完全的刻蚀掉，从而有效的避免了传统工艺中引入膜内阻挡层所造成的残留而使得最终介电质膜的介电常数K值的增大，这种方法有效的提高了产品的电学性能。

主权项

一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，应用于双大马士革工艺中，其特征在于，于一具有半导体结构的衬底上制备第一介电质膜；制备介电质膜阻挡层覆盖所述第一介电质膜的上表面；采用光刻工艺，并根据后续工艺需求设置光阻图案，部分去除所述介电质膜阻挡层；继续制备第二介电质膜覆盖剩余介电质膜阻挡层和暴露的第一介电质膜。