[发明专利]一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺无效
| 申请号： | 201210343631.4 | 申请日： | 2012-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN102867781A | 公开（公告）日： | 2013-01-09 |
| 发明（设计）人： | 黄海;张瑜;盖晨光 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 竺路玲 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 新型 应用 阻挡 结构 进行 质膜 刻蚀 工艺 | ||
1.一种新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，应用于双大马士革工艺中，其特征在于，
于一具有半导体结构的衬底上制备第一介电质膜；
制备介电质膜阻挡层覆盖所述第一介电质膜的上表面；
采用光刻工艺，并根据后续工艺需求设置光阻图案，部分去除所述介电质膜阻挡层；
继续制备第二介电质膜覆盖剩余介电质膜阻挡层和暴露的第一介电质膜。
2.根据权利要求1所述的新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，其特征在于，所述介电质膜的材质为SiO2、FSG或低介电常数材质。
3.根据权利要求1所述的新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，其特征在于，所述底层刻蚀阻挡层和介电质膜阻挡层的材质为Si3N4、NDC（主要成分为SiCN和/或SiCO）。
4.根据权利要求1所述的新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，其特征在于，所述衬底与所述第一介电质膜之间还设置有底部刻蚀阻挡层。
5.根据权利要求1所述的新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，其特征在于，所述剩余介电质膜阻挡层降低所述第一介电质层和第二介电质层在后续工艺中产生的不良负载效应。
6.根据权利要求5所述的新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，其特征在于，所述不良负载效应为刻蚀工艺中由于不同位置的刻蚀速率差异造成的负载效应。
7.根据权利要求1所述的新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，其特征在于，所述后续工艺为通孔和/或沟槽刻蚀工艺。
8.根据权利要求1所述的新型应用膜内阻挡层结构来进行介电质膜刻蚀的工艺，其特征在于，剩余的所述介电质膜阻挡层在后续工艺中被完全去除。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
