[发明专利]高电子迁移率晶体管的制造方法有效
| 申请号： | 201210343034.1 | 申请日： | 2012-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN103681323A | 公开（公告）日： | 2014-03-26 |
| 发明（设计）人： | 包琦龙;邓坚;罗军;赵超 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/335 | 分类号： | H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成第一半导体层；在第一半导体层上栅极位置处形成栅极介质层；在第一半导体层上栅极位置之外的区域形成第二半导体层，以在栅极位置处形成凹槽；在凹槽两侧的第二半导体层上形成源极和漏极；以及在栅极介质层上形成栅极。通过以上方法可以降低沟道中二维电子气的浓度，提高高电子迁移率晶体管正向阈值电压，并增强器件对噪声的抗干扰能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 迁移率 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种高电子迁移率晶体管的制造方法，包括：在衬底上形成第一半导体层；在所述第一半导体层上栅极位置处形成栅极介质层；在所述第一半导体层上所述栅极位置之外的区域形成第二半导体层，以在所述栅极位置处形成凹槽；在所述凹槽两侧的所述第二半导体层上形成源极和漏极；以及在所述栅极介质层上形成栅极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
