[发明专利]显示装置在审
申请号: | 201210342460.3 | 申请日: | 2012-09-14 |
公开(公告)号: | CN103247619A | 公开(公告)日: | 2013-08-14 |
发明(设计)人: | 金广海;崔宰凡;郑宽旭;金武镇;吴在焕;李俊雨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L27/32 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明提供一种显示装置。所述显示装置包括:第一绝缘层,位于基底上;栅极布线,位于第一绝缘层上,栅极布线沿第一方向延伸;第二绝缘层,位于栅极布线上;数据布线,位于第二绝缘层上,数据布线沿与第一方向交叉的第二方向延伸;像素,分别位于栅极布线和数据布线交叉区域处,像素连接到相应的栅极布线和数据布线;数据引导二极管,具有岛状形式并且连接到数据布线,数据引导二极管被构造为当外部静电穿过数据布线时引发第一绝缘层的击穿。 | ||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
【主权项】:
一种显示装置,所述显示装置包括:第一绝缘层,位于基底上;栅极布线,位于第一绝缘层上,栅极布线沿第一方向延伸;第二绝缘层,位于栅极布线上;数据布线,位于第二绝缘层上,数据布线沿与第一方向交叉的第二方向延伸;像素,分别位于栅极布线和数据布线的交叉区域处,像素连接到相应的栅极布线和数据布线;数据引导二极管,具有岛状形式并且连接到数据布线,数据引导二极管被构造为当外部静电穿过数据布线时引发第一绝缘层的击穿。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的